符合 iNAND 標準的 TLC 快閃記憶體,SanDisk 針對入門裝置推出新產品

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SanDisk 加入 TLC 陣營,推出 8GB 以及 16GB 智慧型手機用的快閃記憶體。

中國的智慧型手機市場擁有相當大的市場,近期在低價智慧型手機方面,有著相當多的需求,這次 SanDisk 發表的 iNAND 標準快閃記憶體(embedded flash drive, EFD)則是針對這樣的市場而推出。

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1Y nm 製程,也就是 10nm 世代的 3-bit-per-cell(X3)NAND Flash,就是我們一般稱為 TLD 的顆粒。

 

雖然這款產品以價格作為導向,但其對應到 e.MMC 4.51+HS2.00 模式。在讀寫表現方面,其順序讀寫速度為 100MB/s 以及 7.5MB/s,另外隨機讀寫表現則是 3000/200 IOPS。

 

這款 iNAND 標準的快閃記憶體已經開始在平板電腦上採用,至於智慧型手機部分,則需要等到 2014 下半年才會見到。

 

預期 SanDisk 將會在 Computex 2014 中正式宣布這款鎖定中低階行動通訊裝飾的 iNAND 標準快閃記憶體。

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